根據(jù)《深圳經(jīng)濟特區(qū)科技創(chuàng)新促進條例》，深圳市第五屆人民代表大會常務委員會公告，第144號;《關于促進科技創(chuàng)新的若干措施》，中共深圳市委，深發(fā)〔2016〕7號;《深圳市科技計劃管理改革方案》，深圳市人民政府，深府〔2019〕1號;《深圳市科技計劃項目管理辦法》，深圳市科技創(chuàng)新委員會，深科技創(chuàng)新規(guī)〔2019〕1號;《深圳市科技研發(fā)資金管理辦法》，深圳市科技創(chuàng)新委員會、深圳市財政局，深科技創(chuàng)新規(guī)〔2019〕2號;《深圳市技術攻關專項管理辦法》，深圳市科技創(chuàng)新委員會，深科技創(chuàng)新規(guī)〔2020〕13號文件的相關規(guī)定，現(xiàn)決定開展2020年第四批技術攻關重點項目(生物科技專項)的申報工作。具體要求如下：
一、申請內(nèi)容
為增強我市高新技術產(chǎn)業(yè)核心競爭力，提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng)新能力，突破關鍵零部件等產(chǎn)業(yè)發(fā)展共性關鍵技術，聚焦我市戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)、促進生態(tài)文明建設和民生改善等科技領域瓶頸性關鍵技術，對深圳市高新技術產(chǎn)業(yè)重點領域、優(yōu)先主題、重點專項的關鍵技術攻關予以資助。
二、支持強度與方式
支持強度：有數(shù)量限制，受科技研發(fā)資金年度總額控制，單個項目資助強度最高不超過1000萬元。
支持方式：事前資助。
三、申請條件
申請技術攻關重點項目資助應當符合以下條件：
(一)申請牽頭單位應當是在深圳市或深汕特別合作區(qū)內(nèi)依法注冊、具有獨立法人資格，且2019年度營業(yè)收入在2000萬元以上(含2000萬元)的國家或深圳市高新技術企業(yè)(證書發(fā)證年度為2017年、2018年或2019年)、技術先進型服務企業(yè)(證書在受理結(jié)束之日仍在有效期內(nèi));
(二)采用聯(lián)合申報方式，鼓勵產(chǎn)學研用合作攻關，牽頭單位2019年度營業(yè)收入不足1億的，參與單位應有1家企業(yè)2019年度營業(yè)收入在1億以上(含1億元)。國內(nèi)(含港澳)高校、科研機構和企業(yè)可作為合作單位參與項目;
(三)申請單位應當具有良好的研發(fā)基礎和條件(在深具備研發(fā)場地、設施、人員等條件)、健全的財務制度和優(yōu)秀的技術及管理團隊，能提供相應的配套資金，項目自籌資金不低于申請的財政資助資金總額;
(四)項目負責人必須為申請牽頭單位的全職在職人員，且項目完成年度不超過60周歲;申請牽頭單位主要成員人數(shù)不少于單個合作單位人數(shù);項目組成員總?cè)藬?shù)的50%以上須在深圳購買社會保險;
(五)聯(lián)合申報應注意以下事項：
1.申請書中填報合作單位名稱并加蓋合作單位公章;
2.合作協(xié)議中應明確申請牽頭單位和合作單位的研發(fā)內(nèi)容分工、知識產(chǎn)權分配等相關內(nèi)容;
3.申請牽頭單位資金分配比例不少于單個合作單位的分配比例;
4.申請牽頭單位可聯(lián)合國內(nèi)(含港澳)創(chuàng)新資源共同研發(fā)。深圳市外單位作為合作單位的，按深圳市財政資助資金有關管理辦法執(zhí)行。
(六)本項目申請實行限項制，具體要求是：
1.同一個法人單位只能牽頭申請1項本批次技術攻關重點項目;本年度已承擔或申請未辦結(jié)的技術攻關重點項目牽頭承擔單位，不得再次牽頭申請本年度技術攻關重點項目;
2.申報主體未列入科技誠信異常名錄，未違反國家、省、市聯(lián)合懲戒政策和制度規(guī)定，未被列為失信聯(lián)合懲戒對象;
3.已承擔2018、2019年、2020年技術攻關重點項目的項目負責人不得作為本批次技術攻關重點項目申請的項目負責人。
(七)如果項目申請涉及科研倫理與科技安全(如生物安全、信息安全等)的相關問題，申請單位應當嚴格執(zhí)行國家有關法律法規(guī)和倫理準則。
四、課題內(nèi)容
重2020N054 基于芯片級隔離技術的碳化硅功率器件高壓驅(qū)動芯片研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(二)微電子技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)功率器件驅(qū)動芯片超高隔離電壓技術研發(fā);
(二)驅(qū)動芯片高瞬態(tài)共模噪聲抑制技術研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)量產(chǎn)應用≥100萬顆。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.絕緣工作電壓：1400V;
2.低邊工作電壓：5V;
3.高邊最大工作電壓：30V;
4.輸出電流：6A(on)/8A(off);
5.瞬態(tài)共模抑制：100V/ns;
6.最大環(huán)境溫度：125℃;
7.輸出欠壓保護閾值：11V;
8.輸出欠壓回復閾值：12V;
9.去飽和保護閾值電壓：9V。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N055 28G NRZ(非歸零調(diào)制)專用跨阻放大器芯片關鍵技術研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(二)微電子技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)芯片光接收靈敏度提升技術研發(fā);
(二)極高頻域下芯片寄生參數(shù)補償技術和性能校正技術研發(fā);
(三)光電二極管大動態(tài)范圍的高線性度和高穩(wěn)定性技術研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.速率范圍：8.5Gbps～28.1Gbps;
2.誤碼率≤10ˉ¹²@速率25.78Gbps，光接收靈敏度<-16dBm;
3.小信號增益：6.3kΩ;
4.單通道功耗：50mW;
5.輸入過載電流：2.5mAave;
6.等效輸入噪聲<1.8μArms;
7.支持RSSI檢測功能;
8.電源電壓范圍:2.97V～3.47V。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N056 905nm激光雷達芯片關鍵技術研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(二)微電子技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)發(fā)光層外延結(jié)構、芯片結(jié)構和低電壓隧道結(jié)構設計;
(二)外延材料生長工藝研究;
(三)激光芯片制造工藝研究;
(四)腔面鈍化和鍍膜工藝研究;
(五)光斑控制技術研發(fā);
(六)封裝、測試技術和可靠性測試技術研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.波長：905nm±5nm;
2.芯片輸出功率>260W;
3.發(fā)光節(jié)：5個;
4.電光轉(zhuǎn)換效率>35%;
5.光斑寬度 < 400μm;
6.垂直方向光束發(fā)散角<30º，水平方向光束發(fā)散角<12º。
7.平均壽命(MTTF)>50萬小時。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N057 面向400Gbps 2km光互連的硅基光電子集成發(fā)射芯片研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(二)微電子技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)高速硅基調(diào)制器陣列設計;
(二)低損耗硅基材料WDM波分復用器設計;
(三)低損耗硅基片上光波導技術研發(fā);
(四)線性Si調(diào)制器驅(qū)動器與硅光集成芯片鍵合技術研發(fā);
(五)激光器與硅基光電子集成芯片的高精度、低損耗光耦合技術研發(fā);
(六)片上光信號低串擾技術研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.支持四通道高速硅基調(diào)制器陣列，調(diào)制器陣列單通道3dB帶寬≥35Gbps，支持50G NRZ和112G PAM4;
2.硅基材料WDM波分復用器支持O波段的CWDM波長：1271nm、1291nm、1311nm、1331nm;
3.MUX單通道差損≤0.5dB，通道隔離度≥30dB;
4.硅基片上光波導損耗≤0.5dB;
5.光纖與硅基光電子集成芯片的耦合光損耗≤1.5dB;
6.混合集成的4通道激光器陣列的單通道發(fā)射光功率(耦合前)>4dBm;
7.單通道消光比≥4.5dB;
8.在4個112G PAM4場景下，集成發(fā)射芯片總功耗≤0.8W，最大傳輸距離：2km;
9.平均功耗≤0.5W@工作溫度0～70℃。四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N058 高端SOC芯片測試板卡關鍵技術研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(二)微電子技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)垂直探針卡測試頭探針針壓仿真設計;
(二)提高植針平整度的植針工藝研究;
(三)微型鉆孔工藝和無電解連續(xù)沉銅工藝研究;
(四)精確圖形轉(zhuǎn)移技術及特制的層壓定位技術研發(fā);
(五)減小大尺度測試接口板翹曲和提高BGA焊盤平整度的技術研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.探針卡的單針壓力≤5g、最大變形行程≤100μm、針痕≤12μm、針平整度≤10μm、針排列偏移≤10μm、針中心距(Pitch)≤90μm;
2.測試板卡的層數(shù)>60層、孔徑：0.15mm、厚徑比>32：1、層間對位精度：100μm、翹曲≤0.3%、BGA焊盤公差：±50μm平整度，PCB產(chǎn)品加工技術符合IPC2級和測試板外觀要求。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N059 面向電源管理芯片的多元化應用工藝研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(二)微電子技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)非對稱特殊工藝結(jié)構設計;
(二)采用新材料的掩蔽層設計;
(三)后段46KA超厚頂層鋁金屬互連技術研發(fā);
(四)兼容現(xiàn)有邏輯以及混合信號制程技術研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1. CMOS開啟電壓Vgs(可選擇一種或者多種)：1.8V、3.3V、5V;
2. LDMOS漏源電壓Vds(可選擇一種或者多種)：6V、12V、24V、40V、120V、700V;
3. LDMOS源漏擊穿電壓BVds(對應LDMOS可選擇一種或者多種)：6V LDMOS：8～26V、12V LDMOS：15～38V、24V LDMOS：32～49V、40V LDMOS：55～70V、120V LDMOS：100～150V、700V LDMOS：500～800V;
4. LDMOS導通電阻Ron(對應LDMOS可選擇一種或者多種)：6V LDMOS：0～25 mΩ.mm²、12V LDMOS：0～30 mΩ.mm²、24V LDMOS：0～38 mΩ.mm²、40V LDMOS：0～45 mΩ.mm²、120V LDMOS：0～72 mΩ.mm²、700V LDMOS：0～100 mΩ.mm²;
5. 數(shù)據(jù)保存能力>10年。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N060 高效高亮Micro-LED顯示關鍵技術研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(二)微電子技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)50微米以下R G B Micro-LED發(fā)光器件的微納加工技術研發(fā);
(二)Micro-LED芯片高可靠性巨量轉(zhuǎn)移技術研發(fā);
(三)顯示功能芯片和外圍驅(qū)動電路研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.單個像素尺寸≤25μm，紅、綠、藍Micro-LED中心發(fā)光波長：619nm～632nm、523nm～534nm、459nm～464nm;
2.發(fā)光像素間距≤0.3mm;
3.Micro-LED面板可實現(xiàn)8K顯示，尺寸≥104英寸;
4.峰值亮度>3000 cd/m²;
5.灰度等級≥10Bit;
6.對比度>1000000：1;
7.拼縫≤0.03mm。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N061 8K攝像機圖像處理關鍵技術研發(fā)
一、領域： 一、電子信息--(五)廣播影視技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)8K LOG模式視頻拍攝技術研發(fā);
(二)8K超高解像專業(yè)畫質(zhì)技術研發(fā);
(三)8K攝像機樣機開發(fā)和小批試制研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.研究確定支持8k攝像機的LOG模式記錄曲線以及光電轉(zhuǎn)換函數(shù)方程;
2. 研究確定支持8k攝像機的色域基點色坐標;
3. 研究確定8k攝像機Gamut RGB與CIE1931 XYZ的相互轉(zhuǎn)換矩陣以及Gamut RGB與ITU REC.709 RGB的相互轉(zhuǎn)換矩陣。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N062 測序儀用超低試劑用量微流體集成系統(tǒng)開發(fā)
一、領域： 二、生物與人口健康技術--(六)醫(yī)療儀器、設備與醫(yī)學專用軟件
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)高比例試劑回收及利用策略研發(fā);
(二)極低厚度的微流控生物芯片開發(fā)與優(yōu)化;
(三)器件材料高耐壓、高耐磨性、測序試劑兼容性研發(fā);
(四)零死體積流道建模及測序試劑微殘留監(jiān)控設計;
(五)微流道表征及熒光示蹤和數(shù)值模擬研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)學術指標：申請專利≥8件，其中發(fā)明專利≥4件。
(二)技術指標：
1、微流體系統(tǒng)：測序試劑回收率≥70%，試劑替代比<3;
2、器件在測序試劑使用條件下單個測序位點所消耗的試劑體積≤0.2pL;
3、注射泵：在額定行程運行時間1.2s-9600s的條件下泵液精度<1%，壽命>300000次，最小泵液體積<5μL;
4、電磁閥：耐壓≥500 Kpa時，響應時間<10ms，內(nèi)體積<10μL，壽命>1000000次;
5、多通道旋轉(zhuǎn)閥：旋轉(zhuǎn)閥通道數(shù)≥24個，響應時間<130ms，內(nèi)體積<5μL，壽命>1000000次。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過1000萬元
重2020N050 超大型高比容電容卷浸組一體化裝備關鍵技術研發(fā)
一、領域： 八、先進制造與自動化--(六)先進制造工藝與裝備
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)高比容電容多工序集成技術研發(fā);
(二)高比容電容高速卷繞技術研發(fā);
(三)快速含浸技術研發(fā);
(四)預老化工藝研發(fā);
(五)卷浸組過程中的多點在線檢測系統(tǒng)與算法開發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1. 封口高度誤差：優(yōu)于 ± 0.05 mm;
2. 束腰位置誤差：優(yōu)于 ± 0.05 mm;
3. 套管長度控制精度：優(yōu)于 ± 0.05 mm;
4. Φ18mm外徑電容正極極限長度：≥ 860 mm;
5. Φ18mm外徑電容產(chǎn)品生產(chǎn)速度：≥ 40 PPM(件/分鐘);
6. 支持電容產(chǎn)品范圍：外徑16mm～20mm，高度16mm～40mm。
四、項目實施期限： 3 年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N052 用于半導體芯片封裝的高速高精度智能點膠裝備關鍵技術研發(fā)
一、領域： 八、先進制造與自動化--(六)先進制造工藝與裝備
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)微量精密壓電噴射點膠技術研發(fā);
(二)高速雙驅(qū)同步進給控制系統(tǒng)研發(fā);
(三)高速點膠系統(tǒng)幾何誤差辨識技術研發(fā);
(四)基于機器視覺的運動系統(tǒng)實時校準方法研究;
(五)全自動膠重補償系統(tǒng)算法開發(fā);
(六)點膠系統(tǒng)遠程維護和管理系統(tǒng)等智能技術研發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1. XY軸最大加速度：≥1.0 g(重力加速度)，XY軸最大運行速度：≥1.0 m/s;
2. XYZ軸重復精度：優(yōu)于±15.0 μm;
3. 噴膠頻率：≥900 Hz;
4. 膠重系統(tǒng)精度：≤0.00001 g;
5. 測厚系統(tǒng)精度：≤1.0 μm;
6. 點膠精度：Cp≥1.33，優(yōu)于±20 μm;Cpk≥1.33，優(yōu)于±25.0 μm;
7. 系統(tǒng)軸系數(shù)量 ≥ 8 個。
四、項目實施期限： 3 年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N051 半導體芯片封裝爐關鍵技術研發(fā)
一、領域： 八、先進制造與自動化--(六)先進制造工藝與裝備
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)芯片封裝焊接高均勻性溫度控制系統(tǒng)研發(fā);
(二)高平穩(wěn)性芯片傳輸系統(tǒng)設計與制造;
(三)爐內(nèi)全區(qū)氧含量精確控制技術研發(fā);
(四)爐內(nèi)無塵機構及凈化系統(tǒng)的設計與制造。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000 萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1. 封裝焊接溫度均勻性： Δt ≤ 2 ℃;
2. 焊接溫度控制范圍：室溫~400 ℃;
3. 芯片倒裝封裝傳輸平穩(wěn)性：X/Y方向加速度≤ 0.1 g(重力加速度)，Z方向加速度≤ 0.5 g(重力加速度);
4. 芯片封裝爐內(nèi)全區(qū)氧濃度值：≤ 25 ppm;
5. 封裝爐內(nèi)無塵等級：優(yōu)于1000級。
四、項目實施期限： 3 年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N053 大型葉片超低熱輸入快頻熱量管理焊機關鍵技術研發(fā)
一、領域： 八、先進制造與自動化--(六)先進制造工藝與裝備
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)基于SiC功率器件的高低頻脈沖電流高速耦合換流技術研發(fā);
(二)強干擾工況下的全數(shù)字化焊接控制技術研發(fā);
(三)快頻熱量管理焊機數(shù)字波形柔性調(diào)控技術研發(fā);
(四)超低熱輸入快頻焊接工藝開發(fā)。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應用)≥ 2000 萬元。
(二)學術指標：申請專利 ≥ 7 件，其中發(fā)明專利 ≥ 3件。
(三)技術指標：
1. 逆變頻率：≥ 70 kHz;
2. 快頻脈沖頻率：≥ 20 kHz;
3. 輸出電流范圍：0～400 A;
4. 能效：最高電能轉(zhuǎn)換效率 ≥ 90%;
5. 動特性：20 kHz頻率脈沖電流的動態(tài)響應時間 ≤18 μs;
6. 波形調(diào)制能力：可實現(xiàn)直流、脈沖、雙脈沖波形、雙脈沖正弦波復合波形、快頻直流、快頻脈沖波形(包括雙直流復合快頻波形、直流脈沖復合快頻波形、雙脈沖復合快頻波形)等多波形柔性輸出。
四、項目實施期限： 3 年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N048 低壓高性能矢量變頻器關鍵零部件關鍵技術研發(fā)
一、領域： 六、新能源與節(jié)能--(四)高效節(jié)能技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)基于國產(chǎn)功率半導體器件的寬頻帶、高動態(tài)響應的變頻電源拓撲結(jié)構優(yōu)化設計方法研究;
(二)基于并聯(lián)模塊化大容量變頻電源的分布式運行控制和自適應保護方法研究;
(三)基于國產(chǎn)功率半導體器件驅(qū)動電路研究;
(四)基于調(diào)制、控制一體化的寬頻帶電流、電壓調(diào)節(jié)方法研究。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.輸出頻率調(diào)節(jié)范圍：0～630Hz，速度控制精度：±0.2%，調(diào)速比：1:200，啟動轉(zhuǎn)矩≥200%額定轉(zhuǎn)矩(0.25Hz);
2.輸入三相電壓范圍：380～480V;
3.輸出功率范圍：0.75～1000kW，過載能力：150%額定電流≥60s;180%額定電流≥10s，200%額定電流≥1s;
4.國產(chǎn)化零部件率100%。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
重2020N049 高壓高穩(wěn)定性長壽命鋁電解電容器關鍵技術研發(fā)
一、領域： 六、新能源與節(jié)能--(三)新型高效能量轉(zhuǎn)換與儲存技術
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)高壓鋁電解電容器高穩(wěn)定性長壽命電解液研究;
(二)高穩(wěn)定性電解液對電容器陽極氧化膜修復性及電解液活性與電容量的變化特征研究;
(三)高穩(wěn)定性電解液在鋁電解電容器中對其穩(wěn)定性與相關電性能的影響研究;
(四)高壓高穩(wěn)定性鋁電解電容器的制造工藝路線研究。
三、項目考核指標(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標：實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應用)≥2000萬元。
(二)學術指標：申請專利≥7件，其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術指標：
1.工作電壓≥450VDC;
2.容量≥220μF;
3.尺寸大小≤35*25(mm);
4.工作溫度范圍：-25℃～+105℃;
5.高溫壽命≥5000小時(在105℃下施加額定紋波電流)，容量衰減≤5%，損耗增大≤3%;
6.紋波電流≤1100mA(105℃/120Hz)。
四、項目實施期限： 3年
五、資助金額： 不超過800萬元
相關附件：
附件1 2020年第五批技術攻關重點項目申請指南.docx
附件2 2020年第五批技術攻關重點項目課題指南.pdf
附件3 科研誠信承諾書（模板）.docx
附件4 知識產(chǎn)權合規(guī)性聲明（模板）.docx
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