省直有關(guān)部門、各地級(jí)以上市科技局(委)、各有關(guān)單位：

　　為全面貫徹落實(shí)黨的十九大和習(xí)近平總書記關(guān)于加強(qiáng)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)的系列重要講話精神，按照省委省政府關(guān)于科技創(chuàng)新的相關(guān)部署，根據(jù)《廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃實(shí)施方案》，現(xiàn)啟動(dòng)2020年度廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃“芯片、軟件與計(jì)算”(芯片類)重大專項(xiàng)項(xiàng)目申報(bào)工作(申報(bào)指南見(jiàn)附件1)。有關(guān)事項(xiàng)通知如下：

　　一、申報(bào)要求

　　(一)項(xiàng)目申報(bào)單位(包括企業(yè)、科研院所、高校、其他事業(yè)單位和行業(yè)組織等)應(yīng)注重產(chǎn)學(xué)研結(jié)合、整合省內(nèi)外優(yōu)勢(shì)資源。

　　申報(bào)單位為省外地區(qū)的，項(xiàng)目評(píng)審與廣東省內(nèi)單位平等對(duì)待，港澳地區(qū)高校院所按照《廣東省科學(xué)技術(shù)廳 廣東省財(cái)政廳關(guān)于香港特別行政區(qū)、澳門特別行政區(qū)高等院校和科研機(jī)構(gòu)參與廣東省財(cái)政科技計(jì)劃(專項(xiàng)、基金等)組織實(shí)施的若干規(guī)定(試行)》(粵科規(guī)范字〔2019〕1號(hào))文件精神納入相應(yīng)范圍。省外單位牽頭申報(bào)的，經(jīng)競(jìng)爭(zhēng)性評(píng)審，擇優(yōu)納入科技計(jì)劃項(xiàng)目庫(kù)管理。入庫(kù)項(xiàng)目在滿足科研機(jī)構(gòu)、科研活動(dòng)、主要團(tuán)隊(duì)到廣東落地，且項(xiàng)目知識(shí)產(chǎn)權(quán)在廣東申報(bào)、項(xiàng)目成果在廣東轉(zhuǎn)化等條件后，給予立項(xiàng)支持。

　　(二) 堅(jiān)持需求導(dǎo)向和應(yīng)用導(dǎo)向。鼓勵(lì)企業(yè)牽頭申報(bào)，牽頭企業(yè)原則上應(yīng)為高新技術(shù)企業(yè)或龍頭骨干企業(yè)，建有研發(fā)機(jī)構(gòu)，在本領(lǐng)域擁有國(guó)家級(jí)、省部級(jí)重大創(chuàng)新平臺(tái)，且以本領(lǐng)域領(lǐng)軍人物或中青年創(chuàng)新人才作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。申報(bào)項(xiàng)目必須有自籌經(jīng)費(fèi)投入，企業(yè)牽頭申報(bào)的，項(xiàng)目總投入中自籌經(jīng)費(fèi)原則上不少于70%;非企業(yè)牽頭申報(bào)的，項(xiàng)目總投入中自籌經(jīng)費(fèi)原則上不少于50%。

　　(三) 省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃申報(bào)單位總體不受在研項(xiàng)目數(shù)的限項(xiàng)申報(bào)約束，申報(bào)單位應(yīng)在該領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)，注重加強(qiáng)資源統(tǒng)籌和要素整合，集中力量開(kāi)展技術(shù)攻關(guān)，原則上每個(gè)項(xiàng)目的牽頭申報(bào)單位和參與單位總數(shù)不超過(guò)10家(含)。不鼓勵(lì)同一研究團(tuán)隊(duì)或同一單位分散力量，在申報(bào)同一專項(xiàng)(或?qū)ｎ})時(shí)，同一研究團(tuán)隊(duì)原則上只允許牽頭1項(xiàng)或參與1項(xiàng)，同一法人單位原則上只允許牽頭及參與不超過(guò)3項(xiàng)，否則納入科研誠(chéng)信記錄并進(jìn)行相應(yīng)處理。

　　(四) 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)起到統(tǒng)籌領(lǐng)導(dǎo)作用，能實(shí)質(zhì)性參與項(xiàng)目的組織實(shí)施，防止出現(xiàn)拉本領(lǐng)域高端知名專家掛名現(xiàn)象。

　　(五) 項(xiàng)目?jī)?nèi)容須真實(shí)可信，不得夸大自身實(shí)力與技術(shù)、經(jīng)濟(jì)指標(biāo)。各申報(bào)單位須對(duì)申報(bào)材料的真實(shí)性負(fù)責(zé)，申報(bào)單位和推薦單位要落實(shí)《關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)科研誠(chéng)信建設(shè)的若干意見(jiàn)》(廳字〔2018〕23號(hào))要求，加強(qiáng)對(duì)申報(bào)材料審核把關(guān)，杜絕夸大不實(shí)，甚至弄虛作假。各申報(bào)單位、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人須簽署《申報(bào)材料真實(shí)性承諾函》(模板可在陽(yáng)光政務(wù)平臺(tái)系統(tǒng)下載，須加蓋單位公章)。項(xiàng)目一經(jīng)立項(xiàng)，技術(shù)、產(chǎn)品、經(jīng)濟(jì)等考核指標(biāo)無(wú)正當(dāng)理由不予修改調(diào)整。

　　(六) 申報(bào)單位應(yīng)認(rèn)真做好經(jīng)費(fèi)預(yù)算，按實(shí)申報(bào)，且應(yīng)符合申報(bào)指南有關(guān)要求。牽頭承擔(dān)單位應(yīng)具備較強(qiáng)的研究開(kāi)發(fā)實(shí)力或資源整合能力，承擔(dān)項(xiàng)目的核心研究組織任務(wù)，原則上應(yīng)分配最大的資金份額。

　　(七) 有以下情形之一的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人或申報(bào)單位不得進(jìn)行申報(bào)或通過(guò)資格審查：

　　1.項(xiàng)目負(fù)責(zé)人有廣東省級(jí)科技計(jì)劃項(xiàng)目3項(xiàng)以上(含3項(xiàng))未完成結(jié)題或有項(xiàng)目逾期一年未結(jié)題(平臺(tái)類、普惠性政策類、后補(bǔ)助類項(xiàng)目除外);

　　2.項(xiàng)目負(fù)責(zé)人有在研廣東省重大科技專項(xiàng)項(xiàng)目、重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目未完成驗(yàn)收結(jié)題(此類情形下該負(fù)責(zé)人還可作為參與人員參與項(xiàng)目團(tuán)隊(duì));

　　3.在省級(jí)財(cái)政專項(xiàng)資金審計(jì)、檢查過(guò)程中發(fā)現(xiàn)重大違規(guī)行為;

　　4.同一項(xiàng)目通過(guò)變換課題名稱等方式進(jìn)行多頭或重復(fù)申報(bào);

　　5.項(xiàng)目主要內(nèi)容已由該單位單獨(dú)或聯(lián)合其他單位申報(bào)并已獲得省科技計(jì)劃立項(xiàng);

　　6.省內(nèi)單位項(xiàng)目未經(jīng)科技主管部門組織推薦;

　　7.有尚在懲戒執(zhí)行期內(nèi)的科研嚴(yán)重失信行為記錄和相關(guān)社會(huì)領(lǐng)域信用“黑名單”記錄;

　　8.違背科研倫理道德。

　　(八) 申報(bào)項(xiàng)目還須符合申報(bào)指南各專題方向的具體申報(bào)條件。

　　二、專題內(nèi)容

　　專題一:EDA工具技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用(專題編號(hào):20200127)

　　項(xiàng)目1:數(shù)字芯片設(shè)計(jì)的EDA技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　以提升廣東省數(shù)字芯片(包括但不限于:CPU, GPU,FPGA等高端通用芯片、各類處理器，物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車規(guī)級(jí)AI(人工智能)芯片等專用芯片，以及面向通信、人工智能、超高清視頻、汽車、衛(wèi)星應(yīng)用、智能家居、智慧醫(yī)療、電子辦公等各類系統(tǒng)級(jí)SoC芯片)設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點(diǎn)支撐定制架構(gòu)、芯片安全、低功耗、異構(gòu)計(jì)算、硬件加速等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。開(kāi)展集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)研究，針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)數(shù)字芯片設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)流程多變，時(shí)序收斂要求高，布線密度大，功能和性能驗(yàn)證復(fù)雜度高等設(shè)計(jì)方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)發(fā)與芯片設(shè)計(jì)核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設(shè)計(jì)流程自動(dòng)化、硬件描述和高層次綜合的編程語(yǔ)言與形式化驗(yàn)證、編程模型與編譯映射、邏輯仿真、邏輯綜合、仿真驗(yàn)證、布局布線等工具。將開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至數(shù)字集成電路芯片設(shè)計(jì)中，提升億門級(jí)數(shù)字芯片的設(shè)計(jì)質(zhì)量及效率，并在芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中對(duì) EDA工具進(jìn)行驗(yàn)證及優(yōu)化。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須覆蓋考核指標(biāo)1, 2, 4，及3中選定目標(biāo)芯片產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的指標(biāo)。

　　1.以至少一款具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的億門級(jí)高端芯片應(yīng)用為，形成和此款高端芯片相關(guān)的EDA創(chuàng)新技術(shù)與相關(guān)工具并在此款芯片中應(yīng)用。

　　2.所開(kāi)發(fā)的EDA工具瞄準(zhǔn)14納米或更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，對(duì)標(biāo)國(guó)外現(xiàn)有或類似的同類工具，如高層次綜合、功能仿真、時(shí)序仿真等一個(gè)以上點(diǎn)工具的性能和關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)，部分爭(zhēng)取國(guó)際領(lǐng)先。

　　3.對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有CPU , GPU , FPGA等高端通用芯片、各類處理器，物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心、車規(guī)級(jí)AI等芯片以及面向通信、人工智能、超高清視頻、汽車、衛(wèi)星應(yīng)用、智能家居、智慧醫(yī)療、電子辦公等各類系統(tǒng)級(jí)SoC芯片或類似的同類芯片，定制架構(gòu)、信息安全、低功耗、異構(gòu)計(jì)算、硬件加速等芯片關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)和性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)。對(duì)于信息安全芯片，須支持國(guó)密算法體系;對(duì)于車規(guī)級(jí)AI芯片，須滿足AEC-Q100 grade3標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)檢測(cè)時(shí)間小于100ms;對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)芯片，主頻須超過(guò)200MHz，支持?jǐn)?shù)字信號(hào)處理和浮點(diǎn)運(yùn)算。

　　4.申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10件以上，軟件著作權(quán)2件以上，PCT專利5件以上。

　　(三)申報(bào)要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)芯片設(shè)計(jì)單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持2~3項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目2:模擬或數(shù)模混合集成電路芯片設(shè)計(jì)的EDA技術(shù)

　　創(chuàng)新與應(yīng)用

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　以提升廣東省模擬或數(shù)?；旌闲酒?包括但不限于:功率器件、傳感器、射頻電路、顯示驅(qū)動(dòng)電路、電源管理電路、毫米波電路等芯片)設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點(diǎn)支撐新工藝、新架構(gòu)、信號(hào)完整性、芯片穩(wěn)定性、異質(zhì)集成等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。開(kāi)展集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)研究，針對(duì)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)或特色工藝節(jié)點(diǎn)的模擬或數(shù)?；旌霞呻娐沸酒O(shè)計(jì)中自動(dòng)化程度偏低，計(jì)算機(jī)仿真、驗(yàn)證復(fù)雜度高等設(shè)計(jì)方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)發(fā)與芯片設(shè)計(jì)核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設(shè)計(jì)流程自動(dòng)化、電路仿真分析等工具，重點(diǎn)突破傳統(tǒng)SPICE框架，仿真精度與實(shí)測(cè)電路性能相比誤差在10%以內(nèi)。將開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至模擬與數(shù)模混合集成電路芯片設(shè)計(jì)中，提升芯片的設(shè)計(jì)質(zhì)量及性價(jià)比，并在芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)EDA工具的驗(yàn)證優(yōu)化及應(yīng)用。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須覆蓋考核指標(biāo)1, 2, 4，及3中選定目標(biāo)芯片產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的指標(biāo)。

　　1.以至少一款具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的主流高端芯片應(yīng)用為背景，形成和此款高端芯片相關(guān)的EDA創(chuàng)新技術(shù)與相關(guān)工具，并在此款芯片中應(yīng)用。

　　2.所開(kāi)發(fā)的EDA工具瞄準(zhǔn)16納米或更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，對(duì)標(biāo)國(guó)外現(xiàn)有或類似的同類工具，如電路仿真、版圖設(shè)計(jì)、參數(shù)提取等一個(gè)以上點(diǎn)工具的性能和關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)，部分爭(zhēng)取國(guó)際領(lǐng)先。

　　3.對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有功率半導(dǎo)體、射頻、傳感器、放大器、顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理、毫米波等芯片或類似的同類芯片，新工藝、新架構(gòu)、信號(hào)完整性、芯片穩(wěn)定性、異質(zhì)集成等芯片關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)和性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)。對(duì)于基帶芯片和射頻芯片，須支持主流的Sub-6G低頻頻段與28GHz高頻毫米波頻段。

　　4.申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10件以上，軟件著作權(quán)2件以上，PCT專利5件以上。

　　(三)申報(bào)要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)芯片設(shè)計(jì)單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于 20%的工作量。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持1~2項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目3:存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)的EDA技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　以提升廣東省存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點(diǎn)支撐新協(xié)議、存算一體、物理不可克隆、大容量、自糾錯(cuò)、穩(wěn)定性等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。開(kāi)展集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)研究，針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)(14納米或以下)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)中晶體管密集，設(shè)計(jì)余量低，工藝偏差對(duì)芯片質(zhì)量和良率影響大等設(shè)計(jì)方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)發(fā)與芯片設(shè)計(jì)核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于存儲(chǔ)編譯器、高精度仿真工具、快速驗(yàn)證工具等，充分利用存儲(chǔ)芯片陣列高度結(jié)構(gòu)化的特點(diǎn)，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)劃分，模型降階以及超大規(guī)模并行化等創(chuàng)新技術(shù)，在維持足夠低精度的前提下提高仿真效率、容量和速度;研究快速蒙特卡洛方法等新技術(shù)，提升高S igma驗(yàn)證的準(zhǔn)確性及速度。將開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至閃存、DRAM , S RAM和MRAM等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)中，提升芯片的設(shè)計(jì)質(zhì)量及效率，并在芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中對(duì)實(shí)現(xiàn)EDA工具的優(yōu)化及應(yīng)用。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須覆蓋考核指標(biāo)1, 2, 4，及3中選定目標(biāo)芯片產(chǎn)品對(duì)應(yīng)的指標(biāo)。

　　1.以至少一款具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的高端存儲(chǔ)芯片應(yīng)用為背景，形成和此款芯片相關(guān)的EDA創(chuàng)新技術(shù)與相關(guān)工具，并在此款芯片中應(yīng)用。

　　2.所開(kāi)發(fā)的EDA工具瞄準(zhǔn)14納米或更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有或類似的同類工具，如存儲(chǔ)編譯器、仿真驗(yàn)證工具等一個(gè)以上點(diǎn)工具的性能和關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)，部分爭(zhēng)取國(guó)際領(lǐng)先。

　　3.對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)有或類似的同類芯片，新協(xié)議、存算一體、物理不可克隆、大容量、自糾錯(cuò)、穩(wěn)定性等芯片關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)和性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)。對(duì)于固態(tài)存儲(chǔ)控制芯片，須實(shí)現(xiàn)全硬化ECC , LDPC算法，支持國(guó)密算法體系;對(duì)于閃存芯片，須達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的TLC/QLC層數(shù)，連續(xù)讀取速度不低于560M/s、連續(xù)寫入速度不低于3 50M/s o

　　4.申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10件以上，軟件著作權(quán)2件以上，PCT專利5件以上。

　　(三)申報(bào)要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)芯片設(shè)計(jì)單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　專題二:集成電路制造工藝(專題編號(hào):20200128)

　　項(xiàng)目1:基于模擬特色工藝的器件精準(zhǔn)模型及PDK工藝庫(kù)研發(fā)

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　以重點(diǎn)提升廣東省模擬芯片，尤其高端數(shù)?；旌闲酒O(shè)計(jì)以及其工程化設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，攻克特色模擬半導(dǎo)體工藝、基于特色模擬工藝的精確器件物理模型以及芯片設(shè)計(jì)PDK工藝庫(kù)。從半導(dǎo)體材料本質(zhì)出發(fā)，開(kāi)展基礎(chǔ)性器件物理研究，突破可復(fù)制的從特色工藝、器件物理模型、到芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)。圍繞高性能數(shù)?；旌闲酒O(shè)計(jì)需求及產(chǎn)業(yè)化“瓶頸”，重點(diǎn)研發(fā)能精確反映特色工藝的器件物理模型(包括不同偏置狀態(tài)、溫度條件、工藝角、工藝波動(dòng)等)以及其相關(guān)的噪聲模型和可靠性模型，構(gòu)建靈活、精簡(jiǎn)、高效的半導(dǎo)體器件緊湊模型，尤其是有源器件的模型，并能實(shí)現(xiàn)與各類EDA工具的快速整合，提升仿真效率，優(yōu)化模型的收斂速度。進(jìn)一步建立不少于一個(gè)典型芯片的基于特色工藝及模型的芯片設(shè)計(jì)PDK工藝庫(kù)，開(kāi)發(fā)高端的數(shù)?；旌闲酒a(chǎn)品，包括但不限于高精度、低漂移電壓基準(zhǔn)，超低失調(diào)電壓放大器，高精度模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片、IO以及ESD宏模型等，為芯片設(shè)計(jì)整體精準(zhǔn)仿真提供平臺(tái)。

　　(二)考核指標(biāo)

　　1.開(kāi)發(fā)出以12英寸生產(chǎn)線大規(guī)模量產(chǎn)為基礎(chǔ)的模擬特色工藝，并在此工藝基礎(chǔ)上，研發(fā)基于物理特性的精準(zhǔn)緊湊器件模型及其參數(shù)的提取方法，建立可用于模擬芯片設(shè)計(jì)的精準(zhǔn)器件物理模型(包括不同偏置狀態(tài)、溫度條件、工藝角、工藝波動(dòng)以及噪聲模型、可靠性模型等)。針對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)器件，研發(fā)物理模型的關(guān)鍵參數(shù)，并能在亞閡值區(qū)、線性區(qū)、飽和區(qū)實(shí)現(xiàn)模型與器件特性的精確擬合，確保高精度集成電路的設(shè)計(jì)與仿真準(zhǔn)確性，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

　　2.高性能電壓參考基準(zhǔn)芯片IP核。研發(fā)可用于-40~1250C的電壓基準(zhǔn)芯片，溫漂小于8 ppm/oC，在小于10Hz條件下，VP-P噪聲小于6(V，紋波抑制大于80 dB。與數(shù)字芯片整合，實(shí)現(xiàn)帶電壓基準(zhǔn)的數(shù)?；旌闲酒呐可a(chǎn)與應(yīng)用。

　　3.申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10件以上，并在ADC等芯片中取得示范應(yīng)用。

　　(三)申報(bào)要求

　　須芯片制造企業(yè)牽頭承擔(dān)。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)2000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　專題三:集成電路封裝關(guān)鍵技術(shù)(專題編號(hào):20200129)

　　項(xiàng)目1:異構(gòu)集成關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　以研發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)的精細(xì)線路芯片間異構(gòu)互連多器件封裝為重點(diǎn)，開(kāi)展基于三維封裝、扇出封裝、晶圓級(jí)封裝、倒裝芯片封裝、DFN/QFN無(wú)引線封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝、真空封裝、MEMS技術(shù)等先進(jìn)封裝技術(shù)的集成創(chuàng)新研發(fā)，實(shí)現(xiàn)功能化元器件架構(gòu)創(chuàng)新、5μm到40μm的線寬線距的高帶寬芯片間的高能效處理器和儲(chǔ)存器互連、緊湊型系統(tǒng)集成等，在射頻模塊、功率器件、傳感器、存儲(chǔ)器單元、光電異構(gòu)器件，以及集成硅器件和無(wú)源器件(如大容量電容、特種電感、濾波器)等領(lǐng)域開(kāi)展產(chǎn)品應(yīng)用。產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)要優(yōu)于傳統(tǒng)工藝的指標(biāo)，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。掌握核心生產(chǎn)制造技術(shù)儲(chǔ)備知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為量產(chǎn)指明方向。

　　(二)考核指標(biāo)

　　異構(gòu)互聯(lián)線的線寬線距在5μm到40μm之間，硅片間距小于200μm;封裝布線的層數(shù)達(dá)到4層以上;工藝上實(shí)現(xiàn)200mm以上面板級(jí)扇出封裝或者3D封裝異構(gòu)集成;在-400Cto 850C溫度循環(huán)條件下，循環(huán)次數(shù)高于1000次;異構(gòu)互聯(lián)在85oC、 104A/cm2條件下，抗電遷移能力大于500h;信號(hào)處理(處理器和儲(chǔ)存器)的帶寬大于15GBps;射頻模塊(包括PA，射頻開(kāi)關(guān)，低噪聲放大器)、窄帶物聯(lián)網(wǎng)中IC、傳感器、硅光器件以及無(wú)源器件等實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成及產(chǎn)業(yè)化;形成成本分析報(bào)告，成本優(yōu)勢(shì)比傳統(tǒng)封裝提升30%以上;申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10件以上，PCT專利5件以上。

　　(三)支持強(qiáng)度

　　擬支持2項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目2:先進(jìn)精細(xì)線路封裝面板級(jí)工藝研發(fā)

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)在200mm以上面板尺寸基于高密度精細(xì)線路的剛性基板、柔性基板、剛?cè)峤Y(jié)合基板等高端封裝基板，推動(dòng)高密度高精度(最小線寬線距，放焊材料，開(kāi)孔等)和高性能(低損耗，高可靠性，小尺寸高頻)的封裝基板制造的自主可控國(guó)產(chǎn)化。開(kāi)發(fā)面板級(jí)扇出封裝射頻和功率器件的量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)高集成度、小尺寸、價(jià)格有競(jìng)爭(zhēng)力的新面板級(jí)扇出封裝產(chǎn)業(yè)化，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，選擇以下1~3中一個(gè)產(chǎn)品方向并完成相應(yīng)考核指標(biāo)，并須覆蓋指標(biāo)4。

　　1.剛性基板:2~14層基板，基板總厚度最薄200μm或以下;最小線寬/線距8μm/8μm或以下;防焊開(kāi)孔50μm或以下，防焊厚度10μm，精度(3μm以內(nèi)。剛?cè)峤Y(jié)合基板:基板層數(shù)4-14層以上;最小線寬/線距8μm/8μm以下;彎折壽命不小于10000次(彎折半徑R=0.5mm }。

　　2.柔性基板:傳輸損耗小于0.03 db/mm ( 0.2~18GHz頻率)、0.05db/mm C 18~40GHz頻率)。

　　3.面板扇出射頻工藝:積層層數(shù)2層以上，實(shí)現(xiàn)直壓模塑以外的塑封工藝等生產(chǎn)方式。

　　4.申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10件以上，PCT專利10件以上，項(xiàng)目執(zhí)行期間實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值人民幣10億元以上。

　　(三)申報(bào)要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　專題四:集成電路裝備及零部件(專題編號(hào):20200130)

　　項(xiàng)目1:遠(yuǎn)程等離子源研發(fā)

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　研究基于高頻電壓的電極負(fù)直流電壓產(chǎn)生技術(shù)、正離子轟擊電極加速技術(shù)、雙高頻電壓離子轟擊及高離子通量放電協(xié)同控制技術(shù)、遠(yuǎn)程大口徑等離子產(chǎn)生及遠(yuǎn)程穩(wěn)定維持技術(shù);研究等離子體內(nèi)部離子密度測(cè)量、溫度測(cè)量，空間分布均勻性測(cè)量、自由基測(cè)定，借助發(fā)射光譜分析轉(zhuǎn)動(dòng)能帶，遠(yuǎn)程原位等離子體原位診斷技術(shù)、X射線光譜和等離子體圖像獲取等原位測(cè)試分析技術(shù)，研制遠(yuǎn)程等離子體源設(shè)備，并在芯片制造行業(yè)開(kāi)展示范應(yīng)用，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須研制出高密度、高活性、高均勻性、低污染的遠(yuǎn)程等離子體源設(shè)備樣機(jī)一套，支持等離子體源原位測(cè)量，離化輸出功率達(dá)600W，功率范圍可擴(kuò)展為擴(kuò)展功率范圍3~200W;在200mm~300mm的真空反應(yīng)腔中、3Torr~lOTorr氣壓范圍內(nèi)、2.5s1m氣體流量下，實(shí)現(xiàn)大于94%的離化率;申請(qǐng)發(fā)明專利5項(xiàng)，開(kāi)發(fā)的遠(yuǎn)程等離子體源設(shè)備實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)和銷售與應(yīng)用示范，產(chǎn)品銷售收入不低于3000萬(wàn)。

　　(三)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目2:高溫高精度分子束源爐研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　面向量子器件、紅外與毫米波器件以及5G通訊技術(shù)發(fā)展需求，開(kāi)展分子束(MBE)源爐加熱單元的熱力學(xué)分析，突破凸凹熱屏蔽技術(shù)和寬接觸補(bǔ)償熱偶控溫技術(shù)，實(shí)現(xiàn)多溫區(qū)高精度測(cè)溫、控溫與保溫結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，研制具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高溫高精度MBE源爐，并在國(guó)產(chǎn)FW-VI型分子束外延設(shè)備上開(kāi)展示范應(yīng)用，外延生長(zhǎng)出GaAs , AIGaAs , InGaAs等高質(zhì)量材料，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，滿足新型器件的制備需求。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須研制出一套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高溫高精度MBE(分子束)源爐樣機(jī)，雙溫區(qū)加熱，束源爐加熱溫度≥1400oC;控溫精度≤±0.1oC;集成水冷和shutter，以及自動(dòng)控制系統(tǒng)，源爐真空度優(yōu)于6x10-10Torr。在分子束外延系統(tǒng)中進(jìn)行GaAs基外延材料生長(zhǎng)驗(yàn)證，GaAs外延片尺寸大于2英寸，材料生長(zhǎng)速率0.1~2μm/h，膜厚度不均勻性≤3%,表面缺陷(lμm厚GaAs)≤50個(gè)/cm2;電學(xué)性能(2μm厚度GaAs):背景載流子濃度n≤3X1014/cm3，遷移率μ300k≥6000cm2/V.s, μ77K≥60000cm2/V.s。 GaAs二維電子氣材料:n≈5X1O11/cm2，μ3ooK≥6000cm2/V.s，μ77K≥150000cm2/V.s。AIGaAs外延材料:組份不均勻性(Al含量30%)≤±2%。并支撐分子束外延整機(jī)設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售3000萬(wàn)元。

　　(三)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)2000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目3:碳化硅高溫氧化爐裝備研發(fā)

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　研發(fā)高溫氧化爐裝備，研究降低單極性器件金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)柵介質(zhì)Si02與碳化硅(SiC)之間的界面態(tài)密度的技術(shù)，提升溝道載流子遷移率;調(diào)控混合型雙極型器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)構(gòu)中的n型漂移區(qū)以及p型空穴注入?yún)^(qū)的載流子壽命。提高遷移率，降低器件的導(dǎo)通損耗;將載流子壽命控制在一定范圍之內(nèi)，大幅提升SiC器件的高頻性能，保持器件開(kāi)關(guān)頻率特性的同時(shí)使關(guān)斷損耗下降，從而降低器件的功耗，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須研制出碳化硅器件用多片高溫氧化爐樣機(jī)一套，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多片高溫氧化爐設(shè)計(jì)、制造以及配套的氧化工藝技術(shù)。SiC高溫氧化爐氧化工藝溫度最高1500oC，可在1350oC下長(zhǎng)期工作，加熱速率達(dá)到8oC/分鐘，具有報(bào)警及連鎖保護(hù)功能，MTBF>500h。支持2"、3"、4"和6"晶圓的批量氧化加工(每爐20片及以上)?？墒褂酶裳酰?2）、一氧化二氮(N20）、氧化氮(NO、二氧化氮(N02)或濕氧（02+H20)進(jìn)行氧化。

　　(三)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目4:半導(dǎo)體設(shè)備用低溫泵研發(fā)

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　研究小型G-M制冷機(jī)的超低溫氣體捕獲機(jī)理及氦氣專用壓縮機(jī)技術(shù)，對(duì)制冷機(jī)單元和真空抽氣單元的進(jìn)行模型和設(shè)計(jì)仿真;開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低溫泵智能控制系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)低溫泵組控制系統(tǒng);研究大抽氣容量和快速壓力回收技術(shù)，開(kāi)發(fā)薄壁氣缸、超低溫(lOK)回?zé)崞?、超低?10K)密封件等核心零部件量產(chǎn)技術(shù);建立半導(dǎo)體用低溫泵評(píng)價(jià)體系，制定半導(dǎo)體用低溫泵相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。研發(fā)半導(dǎo)體用低溫泵系統(tǒng)與高端裝備國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備專用低溫泵，并開(kāi)展產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)研究，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須研制出具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體設(shè)備專用低溫泵系統(tǒng)，產(chǎn)品性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO21360-1，可用于12英寸半導(dǎo)體制備中替代進(jìn)口。設(shè)備極限真空應(yīng)達(dá)到5.Oe-9Torr、空氣與氫氣抽氣速度分別不低于1500L/s與1150L/s,氫氣抽氣容量750Std.L(壓力回收到5.Oe-7Torr用時(shí)小于30秒)、完全和快速再生時(shí)間分別不超過(guò)170和60分鐘;完成低溫真空泵樣機(jī)。建立半導(dǎo)體設(shè)備用低溫泵評(píng)價(jià)體系，申請(qǐng)半導(dǎo)體設(shè)備用低溫泵相關(guān)發(fā)明利5件以上，形成2件技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，項(xiàng)目成果在省內(nèi)芯片制造企業(yè)開(kāi)展示范應(yīng)用。

　　(三)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目5:高精度無(wú)掩模激光直寫制版技術(shù)與裝備

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　研究可用于穩(wěn)定制作高精度集成電路掩模版的高性能激光直寫裝備關(guān)鍵工藝技術(shù)，研究激光光束準(zhǔn)直、擴(kuò)束和聚焦，鏡頭設(shè)計(jì)，電動(dòng)平臺(tái)傳動(dòng)控制(主要為工件臺(tái)速度與精度)，視覺(jué)識(shí)別及反饋控制，拼接及套刻精度控制，系統(tǒng)控制軟件的設(shè)計(jì)等環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)，研究整機(jī)制造技術(shù)，開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)高精度無(wú)掩模激光直寫制版裝備，在高精度光學(xué)掩模版及傳感器芯片等制造中開(kāi)展示范應(yīng)用，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須研制出高精度無(wú)掩模激光直寫制版裝備，直寫速度支持1350mm2/min，圖形寫入幅面支持250 mmX250mm、激光光源支持355nm,曝光分辨率達(dá)到0.75μm;支持分辨率根據(jù)不同的刻寫速度自動(dòng)轉(zhuǎn)換，最小分辨精度不小于14nm，支持多種曝光模式;支持實(shí)時(shí)自動(dòng)聚焦、基底表面粗糙跟蹤及灰階光刻(不小于2048階)、多次曝光和多層對(duì)準(zhǔn)套刻、翹曲襯底圖形光刻等功能;支持多種數(shù)據(jù)輸入格式(DXF , CIF , GDSII以及Gerbe:文件);在集成電路掩模版、MEMS器件、光子芯片、傳感器芯片、柔性電子、二元光學(xué)、扇出封裝等方面形成5項(xiàng)或以上示范應(yīng)用;申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利5項(xiàng)。

　　(三)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目6: 300mm圖形套刻對(duì)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　面向國(guó)內(nèi)20-14nm節(jié)點(diǎn)的集成電路檢測(cè)和測(cè)量需求，開(kāi)發(fā)圖形套刻對(duì)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備，突破關(guān)鍵技術(shù)，獲得核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。完成關(guān)鍵技術(shù)與核心部件研發(fā)，包括高數(shù)值孔徑高角分辨率散射成像技術(shù)、多通道高信噪比光譜信號(hào)提取技術(shù)、高精度套刻量測(cè)信號(hào)解析技術(shù)、強(qiáng)魯棒性自適應(yīng)光學(xué)聚焦技術(shù)、高速高精度晶圓運(yùn)動(dòng)位移控制技術(shù)、高速圖像數(shù)據(jù)處理技術(shù)等。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須研制出一套具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的300mm圖形套刻對(duì)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備樣機(jī)，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，基本實(shí)現(xiàn)可與國(guó)際產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的指標(biāo)，并支撐3OOmm圖形套刻對(duì)準(zhǔn)測(cè)量整機(jī)設(shè)備實(shí)現(xiàn)銷售。設(shè)備晶圓尺寸為3 OOmm，光學(xué)數(shù)值孔徑≥0.9，套刻測(cè)量精度≤0.5nm，套刻單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間≤0.75s，產(chǎn)率≥90WPH，正常運(yùn)行時(shí)間≥90%，平均無(wú)故障時(shí)間≥800hrs，平均故障修復(fù)時(shí)間≤6hrs。完成和設(shè)備關(guān)鍵零部件的國(guó)內(nèi)供應(yīng)商的合作開(kāi)發(fā)，并完成設(shè)備在國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)企業(yè)的量產(chǎn)產(chǎn)線測(cè)試和驗(yàn)證。

　　(三)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　專題五:集成電路創(chuàng)新生態(tài)(專題編號(hào):20200131)

　　項(xiàng)目1:面向國(guó)產(chǎn)計(jì)算芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　研究基于國(guó)產(chǎn)計(jì)算芯片的自主可控計(jì)算平臺(tái)技術(shù)，開(kāi)展高能效、低功耗的體系架構(gòu)創(chuàng)新，優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)，提升芯片計(jì)算能力，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。針對(duì)數(shù)據(jù)中心大數(shù)據(jù)計(jì)算、分布式存儲(chǔ)、ARM原生應(yīng)用等場(chǎng)景，優(yōu)化分支預(yù)測(cè)算法、提升運(yùn)算單元數(shù)量、改進(jìn)內(nèi)存子系統(tǒng)架構(gòu)，提高國(guó)產(chǎn)芯片性能。研究?jī)?yōu)化系統(tǒng)適用性和集成度的架構(gòu)創(chuàng)新方法，實(shí)現(xiàn)不同功能類型芯片的異構(gòu)集成。研究示范應(yīng)用所需要的應(yīng)用遷移技術(shù)、性能分析調(diào)優(yōu)技術(shù)，面向重點(diǎn)行業(yè)和關(guān)鍵業(yè)務(wù)，有效開(kāi)展計(jì)算平臺(tái)在相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化示范應(yīng)用，提升國(guó)產(chǎn)計(jì)算平臺(tái)的競(jìng)爭(zhēng)力和產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)計(jì)算芯片的迭代，總帶寬達(dá)到1.5T比特每秒，并通過(guò)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)的檢測(cè)與認(rèn)證。支持CPUCore虛擬化、內(nèi)存虛擬化、中斷虛擬化、IO虛擬化等多項(xiàng)虛擬化技術(shù)，支持加解擾、糾錯(cuò)等內(nèi)存保護(hù)技術(shù)，基于國(guó)產(chǎn)計(jì)算平臺(tái)搭建產(chǎn)品及應(yīng)用的適配測(cè)試環(huán)境，在稅務(wù)、運(yùn)營(yíng)商、金融、公安、汽車、電網(wǎng)等至少一個(gè)領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)范應(yīng)用，芯片應(yīng)用不少于1000套，形成標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范3件以上。

　　(三)申報(bào)要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元左右/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目2:面向星基增強(qiáng)高精度超低功耗北斗芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　針對(duì)國(guó)產(chǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)在航空、交通、智慧物聯(lián)、船舶、應(yīng)急救援等重點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用需求，研制新一代基帶信號(hào)處理、射頻信號(hào)處理、多源融合一體化定位、定位與短報(bào)文一體化等芯片與模組，優(yōu)化并完善國(guó)產(chǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的生態(tài)鏈。針對(duì)當(dāng)前終端產(chǎn)品定位精度不足、抗干擾能力差等現(xiàn)狀，突破衛(wèi)星信號(hào)高精度跟蹤、信源識(shí)別防欺騙等關(guān)鍵技術(shù)，研制高精度、抗干擾基帶信號(hào)處理芯片與射頻信號(hào)處理芯片。針對(duì)模組功耗高、體積大等現(xiàn)狀，突破多源融合定位信號(hào)接入、低噪聲射頻接收與抗干擾等技術(shù)，研制低功耗、低成本、多源融合一體化定位芯片。針對(duì)遠(yuǎn)洋漁業(yè)、航運(yùn)等領(lǐng)域中全球覆蓋性要求高、全球短報(bào)文服務(wù)系統(tǒng)容量大等應(yīng)用需求，突破智能位姿感知、選頻發(fā)射等技術(shù)，研制定位與短報(bào)文一體化芯片。選擇上述的一個(gè)方向開(kāi)展研究，所研發(fā)芯片應(yīng)通過(guò)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)的檢測(cè)與認(rèn)證，在具體民用產(chǎn)品上取得規(guī)?；瘧?yīng)用與推廣。

　　(二)考核指標(biāo)

　　項(xiàng)目完成時(shí)，須選擇以下1-3中一個(gè)產(chǎn)品方向并完成包含4在內(nèi)的考核指標(biāo)。

　　1.高精度、抗干擾基帶信號(hào)處理芯片與射頻信號(hào)處理芯片。衛(wèi)星信號(hào)抗干擾帶寬不少于20MHz，抗單干擾能力不少于100dBc干信比，三個(gè)干擾不少于85dBc干信比，無(wú)干擾情況下精度小于1米。

　　2.低功耗、低成本、多源融合一體化基帶抗干擾定位芯片?？商幚砣N以上傳感器信息，使用小型天線時(shí)，一般室外定位精度優(yōu)于1米;平均功耗小于15mW(不含射頻);芯片裸片尺寸小于2.5mm*2.5mm o

　　3.定位與短報(bào)文一體化芯片，兼容全球4大系統(tǒng)所有民用頻點(diǎn)，同時(shí)跟蹤衛(wèi)星數(shù)量超過(guò)50顆。支持星基增強(qiáng)系統(tǒng)(SBAS)高精度衛(wèi)星導(dǎo)航定位，定位精度優(yōu)于2.5米;模組定姿精度優(yōu)于lmil/3m，支持全球短報(bào)文通信，支持編組通信。

　　4.累計(jì)申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利10件、集成電路布圖設(shè)計(jì)2件以上，形成相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)以上。所研發(fā)芯片應(yīng)通過(guò)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)的檢測(cè)與認(rèn)證;芯片模塊及終端產(chǎn)品產(chǎn)值不低于1億元。

　　(三)申報(bào)要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持1項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　項(xiàng)目3:大型裝置中高性能電子元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

　　(一)研究?jī)?nèi)容

　　汽車電子系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)、高端電視(4K和8K等)等裝置中大量使用的高性能處理器和大功率驅(qū)動(dòng)器件，如微控制器、模數(shù)數(shù)模轉(zhuǎn)換器件、電源管理器、射頻模塊/芯片、功率驅(qū)動(dòng)器件等，對(duì)整機(jī)成本與性能具有決定性作用。本專題擬以裝置中使用的高性能集成電路開(kāi)展高性能電子元器件研發(fā)攻關(guān)，并完成實(shí)際應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化，形成知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品。工業(yè)類控制器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、處理器等，開(kāi)展系統(tǒng)上優(yōu)化集成，突破創(chuàng)新架構(gòu)，在算力提升和先進(jìn)工藝制造、系統(tǒng)集成與開(kāi)發(fā)、高性能編/解碼等方面取得突破;電源管理芯片在精密基準(zhǔn)技術(shù)、高響應(yīng)高可靠性控制技術(shù)、噪聲和紋波抑制技術(shù)，提高芯片應(yīng)用水平的上取得突破;功率驅(qū)動(dòng)器件在可靠性、擊穿電壓和工作結(jié)溫提升上實(shí)現(xiàn)突破。通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，鼓勵(lì)具有廣泛產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)、良好投資實(shí)力和研發(fā)能力的大企業(yè)發(fā)揮自身的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，瞄準(zhǔn)最核心部件開(kāi)展研發(fā)，實(shí)現(xiàn)核心半導(dǎo)體芯片和元器件的國(guó)產(chǎn)以及整機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用。

　　(二)考核指標(biāo)

　　下列考核指標(biāo)不限如下所列行業(yè)方向、具體產(chǎn)品類型及技術(shù)性能指標(biāo)，如下考核指標(biāo)僅作為申報(bào)時(shí)的重要參考。項(xiàng)目鼓勵(lì)大型裝置及重大系統(tǒng)中高性能元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，申報(bào)時(shí)可選擇其他行業(yè)中的一個(gè)產(chǎn)品方向，但須明確行業(yè)及器件型號(hào)，主要性能指標(biāo)達(dá)國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，建設(shè)期內(nèi)須完成實(shí)際應(yīng)用指標(biāo)。

　　1.電視專用芯片。

　　DCDC芯片實(shí)現(xiàn)高性能、超低功耗、輕載高效。支持模擬調(diào)光功能、支持高精度的軟件調(diào)背光功能;符合EIA/JEDEC等國(guó)際測(cè)試標(biāo)準(zhǔn);主板驅(qū)動(dòng)顯示分辨率達(dá)到4K@60Hz及以上;主板待機(jī)功耗小于0.5W;音頻性能不低于8ohm8W@1KHz;信噪比>60dB。項(xiàng)目建設(shè)期內(nèi)實(shí)現(xiàn)年出貨量達(dá)到1500萬(wàn)塊以上。

　　2.空調(diào)系統(tǒng)專用芯片。

　　擊穿電壓VB≥600V，最高工作結(jié)溫TJ≥150 0C o MCU控制芯片抗ESD>8KV，芯片存儲(chǔ)內(nèi)嵌自校驗(yàn)的512K FLASH級(jí)64K SRAM。項(xiàng)目建設(shè)期內(nèi)實(shí)現(xiàn)50萬(wàn)臺(tái)套應(yīng)用，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際主流產(chǎn)品水平。

　　3.汽車電子系統(tǒng)專用芯片

　　支持基于AI的影像處理算法，圖形渲染能力高于1700Mpixels/s;實(shí)時(shí)傳輸導(dǎo)航與反饋相關(guān)的海量數(shù)據(jù)需要支持LTE等制式高于下/上行峰值速率(300Mbps/150Mbps，芯片需符合AECQ 100標(biāo)準(zhǔn)。項(xiàng)目建設(shè)期內(nèi)實(shí)現(xiàn)車載系統(tǒng)應(yīng)用50萬(wàn)套以上。

　　(三)申報(bào)要求

　　須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。

　　(四)支持強(qiáng)度

　　擬支持2項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。

　　三、申報(bào)方式

　　如設(shè)有開(kāi)放性課題，申報(bào)項(xiàng)目必須是申報(bào)指南尚未覆蓋，技術(shù)水平領(lǐng)先，具有非常規(guī)性、顛覆性技術(shù)路線，為企業(yè)所亟需的項(xiàng)目。我們將通過(guò)咨詢論證等程序從中選取少量符合條件的優(yōu)秀項(xiàng)目作為立項(xiàng)補(bǔ)充。

　　四、評(píng)審及立項(xiàng)說(shuō)明

　　省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目由第三方專業(yè)機(jī)構(gòu)組織評(píng)審，對(duì)申報(bào)項(xiàng)目的背景、依據(jù)、技術(shù)路線、科研能力、時(shí)間進(jìn)度、經(jīng)費(fèi)預(yù)算、績(jī)效目標(biāo)等進(jìn)行評(píng)審論證，并進(jìn)行技術(shù)就緒度和知識(shí)產(chǎn)權(quán)等專業(yè)化評(píng)估：

　　(一) 技術(shù)就緒度與先進(jìn)性評(píng)估。本專項(xiàng)主要支持技術(shù)就緒度3～6級(jí)的項(xiàng)目，項(xiàng)目完成時(shí)技術(shù)就緒度一般應(yīng)達(dá)到7～9級(jí)，原則上項(xiàng)目完成后技術(shù)就緒度應(yīng)有3級(jí)以上提高(技術(shù)就緒度標(biāo)準(zhǔn)見(jiàn)附件2)，各申報(bào)單位應(yīng)在可行性報(bào)告中按要求對(duì)此進(jìn)行闡述并提供必要的佐證支撐材料(可行性報(bào)告提綱可在陽(yáng)光政務(wù)平臺(tái)系統(tǒng)下載)。

　　(二) 查重及技術(shù)先進(jìn)性分析。將利用大數(shù)據(jù)分析技術(shù)，對(duì)照國(guó)家科技部科技計(jì)劃歷年資助項(xiàng)目與廣東省科技計(jì)劃歷年資助項(xiàng)目，對(duì)擬立項(xiàng)項(xiàng)目進(jìn)行查重和先進(jìn)性等分析。

　　(三) 知識(shí)產(chǎn)權(quán)分析評(píng)議。項(xiàng)目研究成果一般應(yīng)有高質(zhì)量的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，請(qǐng)各申報(bào)單位按照高質(zhì)量知識(shí)產(chǎn)權(quán)分析評(píng)議指引(見(jiàn)附件3)的有關(guān)要求，加強(qiáng)本單位知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理，提出項(xiàng)目的高質(zhì)量知識(shí)產(chǎn)權(quán)目標(biāo)，并在可行性報(bào)告中按要求對(duì)此進(jìn)行闡述并提供必要的佐證支撐材料(可行性報(bào)告提綱可在陽(yáng)光政務(wù)平臺(tái)系統(tǒng)下載)，勿簡(jiǎn)單以專利數(shù)量、論文數(shù)量作為項(xiàng)目目標(biāo)。

　　擬立項(xiàng)項(xiàng)目按程序?qū)徍藞?bào)批后納入項(xiàng)目庫(kù)管理，視年度財(cái)政預(yù)算及項(xiàng)目落地情況分批出庫(kù)支持，結(jié)合項(xiàng)目進(jìn)展分階段撥付財(cái)政資金。

　　同一指南中的同一項(xiàng)目方向(或課題)，原則上只支持1項(xiàng)(指南有特殊說(shuō)明的除外)，在申報(bào)項(xiàng)目(或課題)評(píng)審結(jié)果相近且技術(shù)路線明顯不同時(shí)，可予以并行支持。

　　五、聯(lián)系人及電話

　　1.高新技術(shù)處(專題業(yè)務(wù)咨詢)：李傳印，020-83163875

　　2.業(yè)務(wù)受理及技術(shù)支持：020-83163930、83163338

　　3.資源配置與管理處(綜合性業(yè)務(wù)咨詢)：司圣奇　020-83163838

　　省科技廳

　　2020年8月6日

相關(guān)附件：
2020年度廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃 “芯片、軟件與計(jì)算”（軟件與計(jì)算類）重大專項(xiàng)申報(bào)指南.pdf
技術(shù)就緒度評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)及細(xì)則.pdf
高質(zhì)量知識(shí)產(chǎn)權(quán)分析評(píng)議指引.pdf