各相關(guān)單位:
根據(jù)《深圳經(jīng)濟特區(qū)科技創(chuàng)新促進(jìn)條例》,深圳市第五屆人民代表大會常務(wù)委員會公告,第144號;《關(guān)于促進(jìn)科技創(chuàng)新的若干措施》,中共深圳市委,深發(fā)〔2016〕7號;《深圳市科技計劃管理改革方案》,深圳市人民政府,深府〔2019〕1號;《深圳市科技計劃項目管理辦法》,深圳市科技創(chuàng)新委員會,深科技創(chuàng)新規(guī)〔2019〕1號;《深圳市科技研發(fā)資金管理辦法》,深圳市科技創(chuàng)新委員會、深圳市財政局,深科技創(chuàng)新規(guī)〔2019〕2號文件的相關(guān)規(guī)定,具體要求如下:
一、申請內(nèi)容
為增強我市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)核心競爭力,提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng)新能力,突破關(guān)鍵零部件等產(chǎn)業(yè)發(fā)展共性關(guān)鍵技術(shù),聚焦我市戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)、促進(jìn)生態(tài)文明建設(shè)和民生改善等科技領(lǐng)域瓶頸性關(guān)鍵技術(shù),對深圳市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域、優(yōu)先主題、重點專項的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)予以資助。
二、課題內(nèi)容
重2020N 5G毫米波基站前端芯片研發(fā)
一、領(lǐng)域: 一、電子信息----(二)微電子技術(shù)
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)面向毫米波射頻前端芯片的功率放大器和矢量有源移相技術(shù)研發(fā);
(二)基于自研毫米波芯片和國產(chǎn)毫米波大規(guī)模陣列天線的AiP模組研發(fā);
(三)5G毫米波AAU基站設(shè)計、系統(tǒng)業(yè)務(wù)傳輸驗證及應(yīng)用。
三、項目考核指標(biāo)(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標(biāo):實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用)≥2000萬元。
(二)學(xué)術(shù)指標(biāo):申請專利≥8件,其中發(fā)明專利≥4件。
(三)技術(shù)指標(biāo):
1. 毫米波射頻前端芯片指標(biāo):單芯片通道數(shù)≥4個,增益分辨率≤0.5dB,相位分辨率≤5.625度,單通道功放P1dB≥18dBm,發(fā)射增益≥25dB,接收噪聲系數(shù)≤7dB,接收增益≥25dB,功放效率≥10%@6dB回退;
2. 5G毫米波基站指標(biāo):工作頻率24.25-27.5GHz,信號帶寬≥800MHz,天線陣元數(shù)≥512個,峰值速率≥10Gbps。
四、項目實施期限: 3年
五、資助金額: 不超過1000萬元
重2020N 400G高速光通信用56Gbaud光探測器芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
一、領(lǐng)域: 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)芯片外延片結(jié)構(gòu)設(shè)計:包括外延層的厚度、摻雜類型和摻雜濃度等設(shè)計;
(二)芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計:包括臺面結(jié)構(gòu)、擴散區(qū)、表面增透膜、表面鈍化膜、電極結(jié)構(gòu)等設(shè)計;
(三)芯片制作工藝流程及工藝參數(shù)設(shè)計;
(四)高頻信號測試技術(shù)研發(fā)。
三、項目考核指標(biāo)(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標(biāo):實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用)≥2000萬元。
(二)學(xué)術(shù)指標(biāo):申請專利≥7件,其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術(shù)指標(biāo):
1. 芯片帶寬BW≥35GHz @(Vr=4V,Pin=0.5mW,with TIA,T=25℃);
2. 芯片響應(yīng)度Re≥0.7 A/W @(Vr=1V,λ=1310nm,Pin=0.5mW,T=25℃);
3. 芯片常溫暗電流Id≤3 nA @(Vr=5V,T=25℃);
4. 芯片電容C≤0.07pF @(Vr=4V,f=1MHz,T=25℃);
5. ESD閾值電壓≥100V。
四、項目實施期限: 3年
五、資助金額: 不超過800萬元
重2020N 面向5G通信的15 MBd多通道高速邏輯門輸出光耦研發(fā)
一、領(lǐng)域: 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)多通道高速邏輯門的發(fā)射/接收芯片設(shè)計;
(二)光電耦合瞬態(tài)共模抑制技術(shù)研發(fā);
(三)多通道抗光電干擾及多通道一致性技術(shù)研發(fā);
(四)芯片超小、超薄的封裝高可靠性設(shè)計。
三、項目考核指標(biāo)(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標(biāo):實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用)≥2000萬元。
(二)學(xué)術(shù)指標(biāo):申請專利≥7件,其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術(shù)指標(biāo):
1.最小共模抑制:15kV/µs;
2.傳輸速度:15MBd/S(Vcc=3.3V,RL=350Ω,TA=25℃。);
3.最小內(nèi)間隙≥0.5mm,爬電距離≥8mm;
4.輸出從低電平到高電平時傳輸延時tPHL≤75ns,輸出從高電平到低電平時傳輸延時tPLH≤90ns ,輸出上升時間tr (typ.): 45ns, 輸出下降時間tf (typ.):20ns(Vcc=3.3V,RL=350Ω,TA=25℃。);
5.輸入-輸出瞬時耐受電壓VISO≥3750 Vrms(測試條件:RH≤50%,t=1min,TA=25℃) ;
6.工作絕緣電壓VIORM:560~1140Vpeak;
7.最小輸入電流:5mA;
8.工作溫度:-55~115℃。
四、項目實施期限: 3年
五、資助金額: 不超過800萬元
重2020N 面向智能手機的5G NR射頻前端芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
一、領(lǐng)域: 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)射頻前端芯片架構(gòu)設(shè)計;
(二)射頻前端芯片5G功率放大器的線性度提升技術(shù)研發(fā);
(三)射頻前端多芯片封裝技術(shù)研發(fā);
(四)5G NR射頻前端芯片檢測及驗證。
三、項目考核指標(biāo)(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標(biāo):實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用)≥2000萬元。
(二)學(xué)術(shù)指標(biāo):申請專利≥7件,其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術(shù)指標(biāo):
1. 頻率范圍:2496-2690 MHz;
2. 天線輸出功率:單天線模式下,線性功率:26dBm,2×2UL-MIMO工作模式下,線性功率:23+23dBm;
3. 5G調(diào)制模式: 支持DFT-S-OFDM/CP-OFDM調(diào)制,最高帶寬≥100 MHz,支持256QAM高階調(diào)制,EVM≤1.4%;
4. 輸出電流:900mA@29dBm,Rx鏈路插損:-2.2dB;
5. 支持APT和ET模式;
6. 支持Fast SRS Hopping timing requirements;
7. 支持MIPI 2.1協(xié)議。
四、項目實施期限: 3年
五、資助金額: 不超過800萬元
重2020N 萬兆多模光接入核心芯片和系統(tǒng)研發(fā)
一、領(lǐng)域: 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)從EPON/GPON平滑演進(jìn)到10G-EPON和10G-GPON設(shè)計;
(二)基于分布式交換架構(gòu)OLT設(shè)備的大容量、高密度、低功耗設(shè)計;
(三)FTTH長距離和大分光比技術(shù)研發(fā);
(四)PON核心芯片的高集成度技術(shù)研發(fā)。
三、項目考核指標(biāo)(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標(biāo):實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用)≥2000萬元。
(二)學(xué)術(shù)指標(biāo):申請專利≥8件,其中發(fā)明專利≥4件。
(三)技術(shù)指標(biāo):
1. 支持EPON/GPON/10G-EPON/10G-GPON/10GE以太網(wǎng)5模接入;
2. 線路側(cè)支持32路PON口
(16XGPON/XGSPON/XEPON+16GPON/EPON),支持16×10GE/GE,背板側(cè):支持16路25Gserdes接口;
3. 轉(zhuǎn)發(fā)能力:全雙工320G接入,最大處理能力≥480MPPS,業(yè)務(wù)可編程,支持三層路由;
4. 大容量OLT系統(tǒng)采用分布式交換架構(gòu),槽位帶寬≥400G。
四、項目實施期限: 3年
五、資助金額: 不超過1000萬元
重2020N 物理感知和版圖驅(qū)動的邏輯綜合技術(shù)研發(fā)
一、領(lǐng)域: 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)融合邏輯綜合、布局布線與簽核工具的統(tǒng)一數(shù)據(jù)庫平臺與物理實現(xiàn)引擎技術(shù)研發(fā);
(二)具有內(nèi)嵌的工業(yè)級布局布線器的邏輯綜合技術(shù)研發(fā);
(三)物理信息感知和版圖驅(qū)動的邏輯優(yōu)化與工藝映射技術(shù)研發(fā);
(四)物理感知的時鐘樹綜合技術(shù)與時序重建技術(shù)研發(fā);
(五)支持先進(jìn)工藝節(jié)點7nm/5nm的統(tǒng)一的邏輯綜合與物理綜合優(yōu)化技術(shù)研發(fā)。
三、項目考核指標(biāo)(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標(biāo):實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用)≥2000萬元。
(二)學(xué)術(shù)指標(biāo):申請專利≥8件,其中發(fā)明專利≥4件。
(三)技術(shù)指標(biāo):
1.支持的電路大小:四千萬門級;
2.綜合運行時間/每千萬門:12小時(32CPU服務(wù)器,CPU速度3.5GHZ);
3.與傳統(tǒng)的非版圖驅(qū)動的邏輯綜合器相比:
(1)降低布線器的最終工藝約束違例數(shù)量15%以上;(2)降低布局布線流程的循環(huán)迭代次數(shù)20%以上;
(3)提升布局布線優(yōu)化器中邏輯再綜合的時序性能10%以上;
(4)降低電路功耗或者減少芯片面積15%以上;
(5)降低布線器運行時間:5倍。
4.與布局布線階段的時序和線長的一致度:差別<5%;
5.支持版圖驅(qū)動的邏輯優(yōu)化與工藝映射;
6.支持與簽核級的時序和功耗分析的集成;
7.支持全局布線級的擁擠度分析與模型。
四、項目實施期限: 3年
五、資助金額: 不超過1000萬元
重2020N 桌面級高性能自主可控GPU芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
一、領(lǐng)域: 一、電子信息---(二)微電子技術(shù)
二、主要研發(fā)內(nèi)容
(一)圖形處理器(GPU)指令集研發(fā);
(二)可編程渲染GPU Shader Core及GPU Shader Core互聯(lián)技術(shù)研發(fā);
(三)GPU Shader Cluster及GPU SoC設(shè)計;
(四)GPU編譯器及GPU軟件模擬器研發(fā);
(五)Linux操作系統(tǒng)環(huán)境及相關(guān)驅(qū)動研發(fā)。
三、項目考核指標(biāo)(項目執(zhí)行期內(nèi))
(一)經(jīng)濟指標(biāo):實現(xiàn)銷售收入(或量產(chǎn)應(yīng)用)≥2000萬元。
(二)學(xué)術(shù)指標(biāo):申請專利≥7件,其中發(fā)明專利≥3件。
(三)技術(shù)指標(biāo):
1.GPU芯片運行功耗<40W;
2.GPU指令集位數(shù):32位,支持協(xié)處理器擴展和OpenGL Shading Lanuage;
3.GPU多核互聯(lián),最高支持GPU核心數(shù)量:128個,支持單精度浮點運算,采用1300MHz芯片主頻(支持動態(tài)調(diào)頻)浮點運算能力(FP32)最大達(dá)到1280GFLOPS;
4.具有L1、L2、L3多級緩存,硬件支持緩存一致性;
5.支持圖形學(xué)國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范OpenGL2.0,支持高性能并行計算的國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范OpenCL1.2。
6.支持國產(chǎn)操作系統(tǒng)的桌面GUI渲染及3D游戲渲染;
7.渲染能力:最多支持可獨立關(guān)閉的渲染流水線4條,最高像素填充率:16Gpixel/S@1300MHz;
8.主機接口:支持PCIE3.0 X16;
9.支持HDMI x2、VGA x1、DP x1顯示接口;
10.支持高清視頻H.265、H.264、VC-1、VP8、MPEG2和MPEG4硬件解碼。
四、項目實施期限: 3年
五、資助金額: 不超過800萬元
三、支持強度與方式
支持強度:有數(shù)量限制,受科技研發(fā)資金年度總額控制,單個項目資助強度最高不超過1000萬元。
支持方式:事前資助。
四、申請條件
申請技術(shù)攻關(guān)重點項目資助應(yīng)當(dāng)符合以下條件:
(一)申請牽頭單位應(yīng)當(dāng)是在深圳市(含深汕特別合作區(qū))內(nèi)依法注冊、具有獨立法人資格,且2019年度營業(yè)收入在2000萬元以上(含2000萬元)的國家或深圳市高新技術(shù)企業(yè)、技術(shù)先進(jìn)型服務(wù)企業(yè)(2017-2019年獲得認(rèn)定的);
(二)采用聯(lián)合申報方式,鼓勵產(chǎn)學(xué)研用合作攻關(guān),牽頭單位2019年度營業(yè)收入不足1億的,參與單位應(yīng)有1家企業(yè)2019年度營業(yè)收入在1億以上(含1億元)。國內(nèi)(含港澳)具有獨立法人資格的高校、科研機構(gòu)和企業(yè)可作為合作單位參與項目;
(三)申請單位應(yīng)當(dāng)具有良好的研發(fā)基礎(chǔ)和條件(在深具備研發(fā)場地、設(shè)施、人員等條件)、健全的財務(wù)制度和優(yōu)秀的技術(shù)及管理團隊,能提供相應(yīng)的配套資金,項目自籌資金不低于申請的財政資助金額;
(四)項目負(fù)責(zé)人必須為申請牽頭單位的全職在職人員,項目組成員總?cè)藬?shù)的50%以上須在深圳購買社會保險;
(五)聯(lián)合申報應(yīng)注意以下事項:
1.申請書中填報合作單位名稱并加蓋合作單位公章;
2.合作協(xié)議中應(yīng)明確申請牽頭單位和合作單位的研發(fā)內(nèi)容分工、知識產(chǎn)權(quán)分配等相關(guān)內(nèi)容;
3.申請牽頭單位資金分配比例不少于單個合作單位的分配比例;
4.申請牽頭單位可聯(lián)合國內(nèi)(含港澳)創(chuàng)新資源共同研發(fā)。深圳市外單位作為合作單位的,按深圳市財政資助資金有關(guān)管理辦法執(zhí)行。
(六)本項目申請實行限項制,具體要求是:
1.同一個法人單位只能牽頭申請1項本批次技術(shù)攻關(guān)重點項目;
2.已列入科研誠信異常名錄的單位和人員不得申請;
3.已承擔(dān)2018、2019年技術(shù)攻關(guān)重點項目的項目負(fù)責(zé)人不得作為本批次技術(shù)攻關(guān)重點項目申請的項目負(fù)責(zé)人。
(七)如果項目申請涉及科研倫理與科技安全(如生物安全、信息安全等)的相關(guān)問題,申請單位應(yīng)當(dāng)嚴(yán)格執(zhí)行國家有關(guān)法律法規(guī)和倫理準(zhǔn)則。
相關(guān)附件:
2020年第二批技術(shù)攻關(guān)重點項目申請指南.docx
2020年第二批技術(shù)攻關(guān)重點項目課題指南.pdf
科研誠信承諾書(模板).docx
知識產(chǎn)權(quán)合規(guī)性聲明(模板).docx
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